 |
||
| Завідувач кафедри фізики, доктор технічних наук, професор | ||
Народився 1 січня 1938 р. у м. Дніпропетровськ. З 1963 р. — науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників м. Новосибірськ (Академмістечко), з 1971 р. — начальник науково-дослідної лабораторії заводу «Чистих металів» м. Світловодськ, з 1981 р. — завідувач кафедри Херсонського національного технічного університету (ХНТУ), СНУЯЕіП. Фахівець у галузі фізики твердого тіла, технології напівпровідникових матеріалів, наногетероструктур і приладів електронної техніки. Автор 200 публікацій і 120 патентів та винаходів, лауреат Державної премії України.
Т. Ф. Кулюткіна під час проведення експерименту
Народилася 9 травня 1951 р. у м. Южно-Сахалінськ. З 1973 р. — інженер-конструктор заводу «Сиблітмаш» (м. Новосибірськ), з 1976 р. — викладач політехнічного інституту м. Чита, ХНТУ, з 1998 р. — завідувачка кафедри ХНТУ, СНУЯЕіП. Фахівець у галузі технології, устаткування і виробництва електронної техніки, автор 60 публікацій і 15 патентів та винаходів.
Основними напрямами діяльності науковців є дослідження процесів формування напівпровідникових матеріалів і епітаксіальних структур для різних приладів електронної техніки, а також розробки технологічного устаткування для їх виготовлення.
В останні роки особлива увага приділялася напряму, пов’язаному з одержанням кристалічного кремнію для сонячних елементів із кремнію технічної чистоти й діоксида кремнію. Очищення технічного кремнію від неконтрольованих домішок здійснюється шляхом його розчинення у розплаві переміщуваного легкоплавкого металу, який барботують газоподібною сумішшю на основі інертного газу з подальшою кристалізацією кремнію у вигляді пластинчастих кристалів або на запалі у вигляді злитка.
Безперервний процес очищення заснований на періодичних вилученнях пластинчастих кристалів кремнію, замінах запалів із вирощеними злитками кремнію й тиглів з багаторазово використовуваними розчинами-розплавами. Для реалізації безперервного процесу очищення кремнію технічної чистоти розроблена установка із продуктивністю до 100 кг на добу.
Розроблена технологія одержання кремнію марки «сонячний» економічно вигідна, коли у виробничий ланцюжок долучається устаткування з очищення легкоплавкого металу, тобто виробництво включає високопродуктивну установку з очищення кремнію технічної чистоти або отриманого з діоксиду кремнію, установку з витягування монокристалів методом Чохральського й установку для очищення легкоплавкого металу.
Безсумнівною перевагою розробленої технології є екологічна чистота процесу виробництва кремнію і можливість організації виробництва кремнію марки «сонячний» в умовах середнього бізнесу — у зв’язку з відносно невеликими об’ємами капіталовкладень.
Іншим науковим напрямком, у якому працюють І. Є. Марончук та Т. Ф. Кулюткіна, є розробка й дослідження технології одержання багатошарових наногетероепітаксіальних структур із квантовими точками (НГЕС КТ) і приладів на їх основі, для вирощування яких розроблено метод рідкофазної епітаксії при імпульсному охолодженні підкладки (LPE PCS) в атмосфері очищеного водню (Patent U. S. No. 60/688, 769, June 8, 2005).
Наявність розчинника дозволяє здійснювати формування масивів КТ, близьких до ідеальних, які не утримують «змочувальних» шарів між КТ. Тому в p-n НГЕС, що містить масиви КТ із вузькозонного напівпровідникового матеріалу (InAs і тверді розчини GexSi 1-x, InxGa 1-xAs), розділених спейсерними шарами широкозонного матеріалу (Ga, GaAs) залежно від товщини спейсерних шарів, реалізується перенос носіїв заряду або вертикально зв’язаними КТ, або каналами, утвореними між квантовими точками масивів КТ, розташованих паралельно p-n переходу.
Для вирощування НГЕС КТ розроблені високопродуктивні установки з горизонтальним і вертикальним реакторами, що дозволяють у напівбезперервному процесі виготовляти ці структури на підкладках діаметром 2 дюйми для різних приладів наноелектроніки: лазерів, світлодіодів, сонячних елементів, фотоприймачів тощо.
Тел.: 0 (66) 815-26-84.
E-mail: fizlab@sinp.com.ua
Назад ] Зміст [ Вперед 