 |
 |
|
| Мачулін Володимир Федорович Директор, академік НАН України, доктор фізико-математичних наук |
||
В. Ф. Мачулін — відомий фахівець у галузі фізики та діагностики напівпровідникових матеріалів і систем. Народився у 1950 р. на Харківщині. 1973 року закінчив Київський політехнічний інститут. Наукову діяльність розпочав в Інституті напівпровідників АН УРСР, де 1978 р. захистив кандидатську, а 1995 р. — докторську дисертації. З 2000 р. — член-кореспондент НАН України. Від 1997 р. в ІФН ім. В. Є. Лашкарьова під керівництвом В. Ф. Мачуліна діє відділення «Структурного й елементного аналізу напівпровідникових матеріалів і систем». Наукову роботу Володимир Мачулін поєднує з активною науково-організаційною діяльністю. Упродовж 1981–2003 рр. працював у Президії НАН України, пройшов шлях до начальника науково-організаційного відділу Президії НАН України. З 2003 р. очолює Вищу атестаційну комісію України. У 2009 р. обраний академіком НАН України. В. Ф. Мачулін — автор кількох монографій та багатьох наукових статей. Двічі лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки (1994, 2003),заслужений діяч науки і техніки (1998). |
||
Інститут напівпровідників АН УРСР створено у 1960 р. на базі відділів і лабораторій Інституту фізики АН УРСР, які очолювали академіки АН УРСР В. Є. Лашкарьов і С. І. Пекар. Директорами інституту були також академік АН УРСР О. В. Снітко (1970–1990) та академік НАН України С. В. Свєчніков (1990–2003). З 2003 р. його очолює академік НАН України В. Ф. Мачулін. У 1992 р. Інститут напівпровідників перейменовано на Інститут фізики напівпровідників, а у 2003 р. йому присвоєно ім’я його першого директора — академіка В. Є. Лашкарьова.
Інститут здійснює фундаментальні й прикладні дослідження в галузях фізики, техніки і технології напівпровідникових приладів, оптики та спектроскопії, оптоелектроніки, мікро- і наноелектроніки, сенсорики, діагностики та сертифікації напівпровідникових матеріалів, ІЧ-фотоелектроніки, рідкокристалічних та електролюмінесцентних засобів відображення інформації, високотемпературної електроніки, напівпровідникової сонячної енергетики.
У більшості традиційних для інституту напрямах наукової діяльності склалися та успішно функціонують відомі наукові школи під керівництвом провідних учених: «Фізика напівпровідників» (засновник — акад. АН УРСР, проф. В. Є. Лашкарьов), «Теорія твердого тіла» (акад. АН УРСР, проф. С. І. Пекар, чл.-кор. АН УРСР, проф. М. Ф. Дейген), «Оптоелектроніка» (акад. НАН України, проф. С. В. Свєчніков), «Оптика й спектроскопія» (акад. НАН України, проф. М. П. Лисиця), «Фізика поверхні і мікроелектроніка» (акад. АН УРСР, проф. О. В. Снітко, д. ф.-м. н., проф. В. І. Ляшенко).
В інституті працюють відомі вчені, заслужені працівники науки і техніки України, лауреати державних та іменних премій НАН України. Серед них — 3 академіки НАН України (М. П. Лисиця, С. В. Свєчніков, В. Ф. Мачулін) та 7 членів-кореспондентів НАН України (В. Г. Литовченко, М. Я. Валах, В. С. Лисенко, П. Ф. Олексенко, Є. Ф. Венгер, Ф. Ф. Сизов, О. Є. Бєляєв).
Функціонує госпрозрахункове Спеціальне конструкторсько-технологічне бюро з дослідним виробництвом. Основними напрямами його наукової та науково-технічної діяльності є:
– сонячна енергетика;
– кріогенна термометрія;
– електролюмінесцентні засоби відображення інформації;
– світлосигнальна техніка нового покоління;
– системи зчитування та обробки оптичної інформації в інфрачервоному діапазоні випромінювання.
Інститут є головною організацією технопарку «Напівпровідникові технології і матеріали, оптоелектроніка та сенсорна техніка», до складу якого входять кілька науково-виробничих та госпрозрахункових підприємств. Це дає можливість упроваджувати нові форми співпраці науки і виробництва для розробки та організації випуску високотехнологічної, наукомісткої та конкурентоспроможної інноваційної продукції в галузі напівпровідникових технологій і матеріалів, оптоелектроніки та сенсорної техніки.
Експрес-аналізатор вірусних захворювань «Лейкоплазм-2»
– центр колективного користування приладами НАН України «Діагностика напівпровідникових матеріалів, структур та приладних систем»;
– випробувальна лабораторія голографічних захисних елементів;
– центральна випробувальна лабораторія напівпровідникового матеріалознавства;
– центр випробувань фотоперетворювачів та фотоелектричних батарей.
На базі інституту працюють українські відділення міжнародних товариств: оптичної техніки (SPIE/UKRAINE) та інформаційних дисплеїв (SID Ukrainian Chapter). Здійснюється підготовка наукових кадрів через аспірантуру та докторантуру, працюють спеціалізовані вчені ради із захисту дисертацій на здобуття наукових ступенів доктора і кандидата наук. Налагоджено співпрацю з багатьма університетами і науковими центрами США, Великобританії, Франції, Італії, Іспанії, Ізраїлю, Японії, Німеччини, Китаю, Російської Федерації, країн Прибалтики. Видається збірник «Оптоэлектроника и полупроводниковая техника» і журнал «Semiconductor Physics. Quantum Electronics & Optoelectronics».
За останні п’ять років інститут одержав понад 70 патентів на винаходи та корисні моделі (способи вирощування монокристалів CdZnTe, виготовлення детекторів g- та Х-випромінювання, отримання світловипромінюючих матеріалів, виготовлення рельєфних голографічних зображень).
Маючи великий інтелектуальний потенціал, Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України пропонує свої перспективні розробки для практичного застосування у галузі енергозбереження, в біомедичній діагностиці, у харчовій промисловості, для охорони навколишнього середовища.
Пр-т Науки, 41, м. Київ, 03028. Тел.: 0 (44) 525-40-20, факс: 0 (44) 525-83-42.
E-mail: info@isp.kiev.ua. Web-сайт: http://www.isp.kiev.ua
Назад ] Зміст [ Вперед 